کاربرد روش مونته‌کارلوی تصحیح شده کوانتومی برای یک دیود تونلی تشدیدی (rtd)

Authors

مهدی پورفتح

دانشکده ی مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف رحیم فائز

دانشکده ی مهندسی برق، دانشگاه صنعتی شریف

abstract

-

Upgrade to premium to download articles

Sign up to access the full text

Already have an account?login

similar resources

کاربرد روش مونته‌کارلوی تصحیح شده کوانتومی برای یک دیود تونلی تشدیدی (RTD)

معادله‌ی انتقال بولتزمن(B‌T‌E) معادله‌ی پایه‌یی است که برای شبیه‌سازی ادوات نیمه‌هادی به‌کار می‌رود. B‌T‌E‌معادله‌یی نیمه کلاسیک است که برخی اثرات کوانتمی از جمله تونل زدن را در نظر نمی‌گیرد. می‌توان با استفاده از معادله‌ی انتقال ویگنر، ضمن تصحیح معادله‌ی B‌T‌E، اثرات کوانتمی را لحاظ کرد. از روش مونته‌کارلو به‌منظور حل B‌T‌E تصحیح شده‌ی کوانتمی برای R‌T‌D استفاده شده است. مطابق انتظار، یک من...

full text

ترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه‌ کوانتومی

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل‌زنی تشدیدی را شبیه‌سازی نموده‌ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفه‌های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج...

full text

مشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی

 In this paper, current-voltage characteristic of a resonant tunneling diode under electromagnetic radiation has been calculated and compared with the results when there is no electromagnetic radiation. For calculating current -voltage characteristic, it is required to calculate the transmission coefficient of electrons from the well and barrier structures of this device. For calculating the tr...

full text

ترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه‌ کوانتومی در رژیم غیربرهم‌کنشی

In this paper, we used green's function approach in microscopic theory to investigate a resonant tunneling diode (RTD). We introduced the detailed Hamiltonian for each part of the photovoltaic p-i-n system, then by calculating the green's function components in tight-binding approximation, we calculate local density of states and current-voltage characteristic of the p-i-n structure. Our result...

full text

My Resources

Save resource for easier access later


Journal title:
مهندسی صنایع و مدیریت

جلد ۲۰۰۷، شماره ۳۸ - ویژه مهندسی برق و کامپیوتر، صفحات ۱۰۹-۱۱۳

Keywords

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023